華碩常壓燒結碳化硅HS-SiC理化指標

性能 單位 HS-A HS-P HS-XA
晶體尺寸 μm 4-10 4-10 4-10
密度 g/cm ≥3.1 3.0-3.1 >3.1
努普硬度 Kg/mm2 2800 2800 2800
四點彎曲抗彎強度(室溫) MPa*m1/2
*1031b/in2
385
55
240
55
420
55
抗壓強度(室溫) Mpa
*1031b/in2
3900
560
3900
560
彈性模量(室溫) Gpa
*1031b/in2
410
59
400
58
410
59
韋伯模量(2參數) 8 19 12
柏松比 0.14 0.14 0.14
斷裂韌性(室溫) MPa*m1/2
*131b/in2in?
8
8
8
熱膨脹系數(室溫至700°C) X10-6mm/mmK
X10-6 in/in°F
4.02
2.2
4.2
2.3
4.02
2.2
最高使用溫度 °C
J/gmK
1900
0.67
1900
0.59
1900
0.67
熱傳導率@室溫 W/mK
Btu/ft h°F
125.6
72.6
110
64
125.6
72.6
@200°C W/mK
Btu/ft h°F
102.6
59.3
102.6
59.3
@400°C W/mK
Btu/ft h°F
77.5
44.8
77.5
44.8
滲透率@室溫 1000°C 31MPa以內無氣體泄漏
電阻率 Ohm-cm 102-106 N/A 102-106
熱輻射系數 0.9 0.9 0.9
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